纳米级CMOS集成电路的发展状况及辐射效应

• 作者: 刘忠立
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米级互补金属氧化物半导体集成电路 器件沟长 辐射效应
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 953-960
• 页数: 8页
• 分类号: TN78
• 字数: 5820字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201606.0953

摘要

介绍互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路的发展历程及纳米级CMOS集成电路的关键技术,在此基础上研究了纳米级CMOS集成电路的辐射效应及辐射加固现状.研究结果表明,纳米级FDSOICMOS集成电路无需特殊的加固措施,却比相同技术代的体硅CMOS集成电路有好得多的辐射加固能力,特别适用于空间应用环境.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院微电子研究所	77	412	12.0	14.0