CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应仿真研究进展

• 作者: 刘家齐 刘琳 岳素格 李同德 李园 王亮 舒磊 赵元富 顾问
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 单粒子效应 仿真 抗辐射加固 交叉隔离 错误猝熄
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 进展与评述
• 页码范围: 1-9
• 页数: 9页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.030101

摘要

以CMOS存储单元为研究对象,介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展,讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响,提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能,并通过试验验证了该方法的有效性.