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现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展
现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展
作者:
何安林
刘建成
史淑廷
宋雷
沈东军
范辉
郭刚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
质子
单粒子效应
核反应
直接电离
摘要:
近年来,随着半导体工艺技术的迅速发展,质子单粒子效应研究的重要性上升到了一个新的高度.综述了国际上纳米集成电路质子单粒子效应研究的主要进展,如低能质子成为纳米集成电路单粒子效应和软错误率的主要贡献因素,中高能质子与新型器件材料(如钨)核反应研究成为质子单粒子效应新的热点问题,介绍了中国原子能科学研究院在纳米集成电路低能质子实验方面开展的相关工作.
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模拟CMOS集成电路SEL仿真验证研究
CMOS集成电路
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纳米级CMOS集成电路的单粒子效应及其加固技术
集成电路
纳米级
单粒子效应
抗辐射加固
内容分析
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相关学者/机构
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期刊文献
内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
现代纳米集成电路质子单粒子效应研究进展
来源期刊
现代应用物理
学科
工学
关键词
质子
单粒子效应
核反应
直接电离
年,卷(期)
2015,(2)
所属期刊栏目
辐射效应及加固技术
研究方向
页码范围
118-124
页数
7页
分类号
TN406
字数
3921字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘建成
中国原子能科学研究院核物理研究所
28
107
6.0
9.0
2
郭刚
中国原子能科学研究院核物理研究所
34
65
4.0
7.0
3
何安林
中国原子能科学研究院核物理研究所
5
6
2.0
2.0
4
沈东军
中国原子能科学研究院核物理研究所
8
6
2.0
2.0
5
史淑廷
中国原子能科学研究院核物理研究所
7
5
2.0
2.0
6
范辉
中国原子能科学研究院核物理研究所
5
7
2.0
2.0
7
宋雷
中国原子能科学研究院核物理研究所
3
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2014(1)
参考文献(1)
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2015(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
二级引证文献(0)
2017(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2019(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2020(1)
引证文献(0)
二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
质子
单粒子效应
核反应
直接电离
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代应用物理
主办单位:
西北核技术研究所
国防工业出版社
出版周期:
季刊
ISSN:
2095-6223
CN:
61-1491/O4
开本:
大16开
出版地:
西安市69信箱15分箱
邮发代号:
创刊时间:
2010
语种:
chi
出版文献量(篇)
533
总下载数(次)
1
总被引数(次)
594
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