日本开发出制造无缺陷碳化硅单晶的新方法

• 来源期刊: 硅铝化合物
• 学科: 工学
• 关键词: 日本 无缺陷碳化硅单晶 电子性能 热物理性能 机械性能
• 年，卷（期）: wjghhwtj,（2）
• 页码范围: 36
• 页数: 1页
• 分类号: TQ127.2

摘要

碳化硅（SiC）将在下一代电子装置应用中取代硅。它具有有用的电子性能和良好的热物理性能及机械性能，这使得它能够在硅根本无法使用的高温和高功率应用环境等各种不同条件下正常工作。要制造具有实用尺寸的无缺陷SiC单晶却存在困难。