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压制压力对Si-Al电子封装材料性能的影响
压制压力对Si-Al电子封装材料性能的影响
作者:
冯曦
李世晨
杨培勇
杨迎新
郑子樵
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
Si-Al电子封装材料
液相烧结
压制压力
热导率
摘要:
采用粉末冶金液相烧结工艺制备Si-50Al电子封装材料,研究了压制压力对材料性能的影响.研究结果表明:增大压制压力可提高材料致密度,有效地促进界面的反应结合,使材料热导率提高;但当压制压力过大时,由于Si颗粒发生开裂甚至解理,界面热阻急剧上升,导致热导率下降;高压制压力导致Si-Al体系在945 ℃附近出现1个放热过程,这个放热过程对应于该温度下氧化铝薄膜的破裂以及随后Al与 Si颗粒表层SiO2的界面反应;诱发Al 和SiO2反应的是高压制压力所造成的界面处储能,这使体系润湿性大幅度提高,改善了材料的热导性能.
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内容分析
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关键词热度
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文献信息
篇名
压制压力对Si-Al电子封装材料性能的影响
来源期刊
中南大学学报(自然科学版)
学科
工学
关键词
Si-Al电子封装材料
液相烧结
压制压力
热导率
年,卷(期)
2005,(2)
所属期刊栏目
材料·矿物·冶金·化学
研究方向
页码范围
198-203
页数
6页
分类号
TF124.5
字数
3370字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-7207.2005.02.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
冯曦
中南大学材料科学与工程学院
6
155
6.0
6.0
2
李世晨
中南大学材料科学与工程学院
66
1152
21.0
31.0
3
郑子樵
中南大学材料科学与工程学院
223
3915
30.0
50.0
4
杨迎新
江西理工大学南昌分校机电系
4
19
3.0
4.0
5
杨培勇
中南大学材料科学与工程学院
7
142
5.0
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(15)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(11)
二级引证文献
(38)
1987(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1988(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1989(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1991(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1993(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
1994(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1997(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1998(3)
参考文献(2)
二级参考文献(1)
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参考文献(1)
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参考文献(3)
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参考文献(2)
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2017(6)
引证文献(3)
二级引证文献(3)
2018(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
Si-Al电子封装材料
液相烧结
压制压力
热导率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中南大学学报(自然科学版)
主办单位:
中南大学
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-7207
CN:
43-1426/N
开本:
大16开
出版地:
湖南省长沙市中南大学校内
邮发代号:
42-19
创刊时间:
1956
语种:
chi
出版文献量(篇)
7515
总下载数(次)
5
总被引数(次)
79127
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