高温模锻对钨铜电子封装材料组织和性能的影响

• 作者: 古一 姜国圣 王志法
• 来源期刊: 粉末冶金材料科学与工程
• 关键词: 钨铜电子封装材料 高温锻造 组织 性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 403-406
• 分类号: TG316.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-0224.2011.03.015

摘要

采用高温熔渗法制备钨铜电子封装材料,在850℃下对该材料进行模锻,通过扫描电镜(SEM)观察材料的微观组织,并利用超声波块体扫描仪探测材料内部的孔隙分布情况,研究高温模锻对钨铜电子封装材料组织和性能的影响.结果表明:在850℃高温模锻能显著减少钨铜电子封装材料内部的孔洞缺陷,内部组织更均匀、致密.经1次高温模锻后,相对密度达到99.5%,气密性由锻造前的27×10<'10>(Pa·m<'3>)/s提高到3.5×10<'-10>(Pa·m<'3>)/s,导热系数从181.0 W/(m·K)提高至195 W/(m·K).增加锻造次数对密度影响有限,材料性能变化不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志法	中南大学材料科学与工程学院	61	796	13.0	25.0
2	姜国圣	中南大学材料科学与工程学院	39	436	10.0	19.0
3	古一	中南大学材料科学与工程学院	31	294	8.0	16.0