10～20MeV中子引起单粒子翻转的微分析

• 作者: 李华
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 数学
• 关键词: Monte Carlo模拟 单粒子翻转 10～20MeV中子
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 95-99
• 页数: 5页
• 分类号: O242.2
• 字数: 1016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2005.02.003

摘要

我们用Monte Carlo方法模拟了10～20MeV中子引起的单粒子翻转.计算了引起电离能量沉积的五种概率.对于一个临界电荷分别为0.05、0.10和0.15pC的16K静态RAM存储器硅片,我们计算了引起单粒子翻转的入射中子平均注量及由(n,α)反应引起的单粒子翻转的概率.给出了三次接近入射中子平均注量的中子引起的单粒子翻转中,在灵敏单元内与电离能量沉积相关的一系列物理量的计算结果.这些结果能够为10～20MeV中子引起的单粒子翻转提供统计的和微观描述的信息.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李华	暨南大学物理系	34	140	7.0	10.0