过渡金属掺杂CuGaS2的磁学性质

• 作者: 曾志钦
• 来源期刊: 漳州师范学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体(DMS) 居里温度(TC) 过渡金属(TM)
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 71-76
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 3709字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-7826.2005.03.015

摘要

应用基于自旋极化的第一性原理系统地对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂CuGaS2的磁学性质进行理论计算.通过对过渡金属对CuGaS2掺杂,在铁磁状态下取代不同离子(Cu和Ga)结合能的比较,我们发现:过渡金属在CuGaS2中比较容易占据Ga的位置.通过对稀磁半导体(DMS)磁性稳定性的研究,可以发现到:在Cr、Mn掺杂的CuGaS2中,DMS表现为铁磁状态,其居里温度将可能高于(Ga,Mn)As,其他过渡金属掺杂时,DMS则表现为反铁磁状态.并验算了一条判断DMS磁性状态的简单规律.

作者信息

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1	曾志钦		4	0	0.0	0.0