磁控溅射法制备钴掺杂氧化锌薄膜室温磁学性质

• 作者: 吴兆丰 张峰 程鲲
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 钴掺杂氧化锌 薄膜 磁学性质 结构特性
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 微/纳米制备与测量技术
• 页码范围: 60-65
• 页数: 6页
• 分类号: O469
• 字数: 1815字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.024112

摘要

钴掺杂氧化锌是室温稀磁半导体的重要候选材料,其磁学特性和钴掺杂浓度、显微结构及光学性质密切相关.磁控溅射具有成本低、易于大面积沉积高质量薄膜等特点,是广受关注的稀磁半导体薄膜制备方法.利用磁控溅射方法制备了不同浓度的钴掺杂氧化锌薄膜,并对其显微结构、光学性质和磁学特性进行了系统分析.结果表明:当掺杂原子分数在8％以内时,钴掺杂氧化锌薄膜保持单一的铅锌矿晶体结构,钴元素完全溶解在氧化锌晶格之中;薄膜在可见光区域有很高的透射率,但在567,615和659 nm处有明显吸收峰,这些吸收峰源于Co2+处于O2-形成的四面体晶体场中的特征d-d跃迁.磁学特性测试结果表明钴掺杂氧化锌薄膜具有室温铁磁性,且钴的掺杂浓度对薄膜的磁学特性有重要影响.结合薄膜结构、光学和电学性质分析,实验中观察到的室温铁磁性应源于钴掺杂氧化锌薄膜的本征属性,其铁磁耦合机理可由束缚磁极化子模型进行解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴兆丰	盐城工学院基础教学部	13	31	2.0	5.0
2	程鲲	盐城工学院基础教学部	8	13	2.0	3.0
3	张峰	盐城工学院江苏省新型环保重点实验室	16	72	4.0	8.0