基于ICP工艺的垂直微小硅镜的加工

• 作者: 前田龙太郎 单学传 池原毅
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: ICP DRIE 微镜 垂直侧面 工艺参数
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 精密加工
• 页码范围: 22-28
• 页数: 7页
• 分类号: TH7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2005.01.005

摘要

利用自感应耦合等离子(ICP)蚀刻机进行硅深层反应离子刻蚀,得到了几微米宽的狭槽,其轮廓通常为正锥形,即蚀刻槽的宽度随着蚀刻深度的增大而减小.然而,对一个宽槽来说,由于等离子区内边界层的变形,其蚀刻宽度会随着蚀刻深度的增加而增加.在许多应用中,硅蚀刻轮廓侧面的垂直状况是一个关键性问题.叙述了分离式垂直镜的加工过程;研究了影响蚀刻轮廓的各种重要参数.经过引入多步制法与优化激励源、基底偏压源及加工压力,减小了等离子区边界层内的变形,改善了轮廓的蚀刻状况.得到的结果为:120μm高垂直微镜垂直度为89.7°,200μm高垂直微镜垂直度为89.3°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	单学传		3	8	2.0	2.0