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摘要:
采用磁控溅射方法在Si(111)基片上沉积Cu-Zr/ZrN薄膜体系作为扩散阻挡层.通过比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和三元非晶(Mo,Ta,W)-Si-N的电阻率,同时比较Cu-Zr/ZrN薄膜体系和Ta,YaN的硬度,说明作为扩散阻挡层的材料的选取,应从整体性能上考虑,而不能仅仅考虑热稳定性等单一指标.
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非高斯参数
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Cu-Zr/ZrN薄膜体系的电阻率和纳米压入研究
来源期刊 稀有金属材料与工程 学科 工学
关键词 非晶 电阻率 纳米压入 硬度
年,卷(期) 2005,(2) 所属期刊栏目 材料科学
研究方向 页码范围 259-262
页数 4页 分类号 TG111.6|TG146.1
字数 2604字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.02.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 汪渊 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 5 38 4.0 5.0
2 白宣羽 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 2 10 2.0 2.0
3 徐可为 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室 238 3333 30.0 44.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
非晶
电阻率
纳米压入
硬度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
稀有金属材料与工程
月刊
1002-185X
61-1154/TG
大16开
西安市51号信箱
52-172
1970
chi
出版文献量(篇)
12492
总下载数(次)
15
总被引数(次)
83844
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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