用MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜.生长前衬底表面进行预处理,观察不同表面预处理对ZnO薄膜质量的影响.测量氧化锌的XRD谱,观察表面预处理后对氧化锌薄膜结晶质量的影响.室温下用325 nm的He-Cd激光器作为激发源测量ZnO薄膜的紫外发光谱,观察表面处理后对ZnO薄膜发光特性的影响.用HL5500 Hall System分别对ZnO薄膜的电学特性进行了测试.得到了ZnO薄膜的电阻率和霍尔迁移率,并得到氧气气氛处理后电阻率变小,霍尔迁移率变大;氮气气氛射频处理后电阻率变大,霍尔迁移率变小的结果.