Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe(Ni)系薄膜的掺杂行为研究

• 作者: 张海芳 杜丕一 翁文剑 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: Fe、Ni掺杂 Fe3+离子敏感 薄膜 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: O484|O657.15
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.z1.015

摘要

本文用电子束蒸发方法制备了掺Fe、Ni的Ge-Sb-Se-Fe(Ni)薄膜.Hall效应测得薄膜均为p型半导体.对薄膜的研究表明Ge-Sb-Se中不同过渡金属元素掺杂因失电子能力差异而形成了不同的网络结构,高电负性过渡金属元素掺杂倾向于形成较少缺陷态的网络结构;Al的热扩散共掺杂使载流子浓度提高,且其浓度的提高可以抵消杂质散射引起的迁移率下降,降低薄膜的方块电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜丕一	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	80	880	17.0	27.0
2	韩高荣	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
3	翁文剑	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	79	1088	20.0	30.0
4	张海芳	浙江大学材料系硅材料国家重点实验室	1	0	0.0	0.0