真空科学与技术学报期刊
出版文献量(篇)
4084
总下载数(次)
3
总被引数(次)
19905

真空科学与技术学报

Chinese Journal of Vacuum Science and Technology
曾用名: 真空科学与技术

CACSCDJSTCSTPCD

影响因子 0.3586
本刊是全国中文核心期刊,长期被EI、CA、SA等国际蓍名检索系统收录,已全文上网。本刊通过中国图书贸易总公司代理向国外发行。目前在美国、英国、德国、荷兰及我国的香港与台湾地区均有订阅,有一定的影响力。在国内各高等院校科学院所涉及到真空科学与技术论文都大多数向本刊投稿,已成为国内外关学者发表高水平科研成果的主要载体。
主办单位:
中国真空学会
ISSN:
1672-7126
CN:
11-5177/TB
出版周期:
月刊
邮编:
100022
地址:
北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室
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19905
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  • 作者: 何湘宁 刘勇 周惠生
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  241-244,255
    摘要: 本文的目的是确定接地电极转动对介质阻挡放电的影响.采用不对称电极结构来降低外加的工作电压.实验的结果表明:接地电极静止或转动介质阻挡放电将呈现不同的放电形式和电流波形.文中对其原因进行了讨论...
  • 作者: 叶志镇 曹亮亮 李士玲 王新昌 赵炳辉
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  245-248
    摘要: 利用脉冲激光沉积技术在硅衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜.研究了衬底温度对薄膜质量的影响,发现衬底温度在600 ℃时获得了具有优异结晶质量的高c轴取向LiNbO3薄膜.采用扫描电镜和透射...
  • 作者: 盛雷梅 范守善
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  249-251
    摘要: 在金属基底上,以铁为催化剂,硅做过镀层,乙烯为源气体,通过普通的化学气相沉积方法生长出垂直基底排列的碳纳米管(CNT)阵列.扫描电子显微镜和透射电镜观察表明,生长的CNT具有阵列形貌和多缺陷...
  • 作者: 伍玉兰 周莉 汪信 车剑飞 马佳郡
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  252-255
    摘要: 聚合物在纳米粒子表面接枝后,可在其表面建立起空间位阻稳定层,提高纳米粒子的分散稳定性及其与树脂基体的相容性.本文采用缩聚法在纳米SiC表面接枝了聚缩醛,X射线光电子能谱(XPS)的分析结果表...
  • 作者: 叶志镇 张银珠 张阳 曹亮亮 朱丽萍 诸葛飞 赵炳辉
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  256-258,262
    摘要: 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜.对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°.薄膜沿c轴方向...
  • 作者: 仲飞 刘彭义 孙汪典 张丽丽 翟琳
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  259-262
    摘要: 采用射频磁控溅射方法分别在玻璃、A1片和ITO玻璃上制备出性能优良的TiO2纳米薄膜,研究了薄膜光催化性能.通过XRD、SEM和UV-Vis吸收光谱对薄膜进行表征,研究了不同退火温度和不同衬...
  • 作者: 孔明 李戈扬 胡晓萍 董云杉 顾明元
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  263-267,274
    摘要: 采用磁控溅射方法制备了一系列不同Si3N4和TiN层厚的TiN/Si3N4纳米多层膜,采用X射线衍射、高分辨电子显微分析和微力学探针表征了薄膜的微结构和力学性能,研究了Si3N4和TiN层厚...
  • 作者: 周白杨 林庆彬 邓光华
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  268-270,274
    摘要: 本文研究了轧制青铜试片的取向对离子束溅射(IBS)制备的TbDy-Fe超磁致伸缩膜(GMF)应力及磁致伸缩性能的影响.结果表明,溅射沉积在沿垂直轧制方向截取的试片上沉积膜的应力小于沿平行轧向...
  • 作者: 刘燕萍 徐晋勇 徐重 王建忠 隗晓云 高原
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  271-274
    摘要: 本文介绍了一种新的制备TiN的工艺方法.利用辉光放电溅射现象、尖端放电和空心阴极效应,在钢铁材料表面直接复合形成TiN渗镀扩散层.用X射线衍射、辉光放电剥层成分分析仪、显微硬度仪等方法,对复...
  • 作者: 孙建 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 赵颖 高艳涛 魏长春
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  275-277,282
    摘要: 本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备出了系列不同功率的微晶硅薄膜.对薄膜的电学特性和结构特性进行了测试分析,结果表明:制备出了光敏性在500~700、激活能在0.5 eV左右、沉积...
  • 作者: 何智兵 吴卫东 唐永建 韩高荣
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  278-282
    摘要: 为研究衬底温度对酞菁铜(CuPc)薄膜的结构、光学及光电导性能的影响,文中采用真空热蒸发方法制备了不同衬底温度的CuPc薄膜.X射线衍射和Raman光谱分析显示CuPc薄膜呈现很好的定向生长...
  • 作者: 吉雅图 李健 韩菲 高燕
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  283-286,289
    摘要: 对采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备的稀土Nd掺杂的SnO2薄膜,进行结构、电学及光学特性的测试分析.实验表明:氧化、热处理条件为500 ℃、45 min时样品性能好.采用一步成膜工艺法制备...
  • 作者: 严一心 梁海锋
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  287-289
    摘要: 本文采用脉冲电弧离子镀的方法,在p型硅上沉积类金刚石薄膜,用椭偏法测试薄膜的光学常数.根据沉积方法的特点,建立一个四层结构的膜系,并由每一层的吸收情况合理选择色散关系;结合透过率的测试结果,...
  • 作者: 程树英 钟南保 陈国南 黄赐昌
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  290-292,296
    摘要: 用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在...
  • 作者: 方鹏 朱晓东 程诚 耿松 詹如娟
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  293-296
    摘要: 本文利用六甲基二硅氧烷(HMDSO)作为硅的先驱粒子,氮或氩气为稀释气体,进行了大气压等离子体化学气相沉积类二氧化硅薄膜的实验研究.运用红外光谱(FTIR)、光电子能谱(XPS)和扫描电镜(...
  • 作者: 张兴元 徐成俊 王亚平 黄佳木
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  297-300
    摘要: 利用直流磁控溅射在室温下沉积出性能优良的氮化钛薄膜,研究了N2流量和偏压对氮化钛薄膜性能和结构的影响,并采用扫描隧道显微镜(STM)技术对其表面形貌进行了较为详细的研究.结果表明,随着N2流...
  • 作者: 严学俭 张群 张莉 李喜峰 章壮健 缪维娜 黄丽
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  301-305
    摘要: 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%~18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄...
  • 作者: 于继荣 刘雄英 黄光周
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  306-308,311
    摘要: 在光电极值法基础上采用一定的信号采集方法、数据处理和极值点判断算法,通过硬件电路和高级程序语言设计了膜厚监控系统.实验表明,该系统能够对光学薄膜镀制过程进行实时在线跟踪,以及对膜层厚度的准确...
  • 作者: 张涛 赵高凌 韩高荣
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  309-311
    摘要: 本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜.利用X射线衍射(XRD)和方块电阻...
  • 作者: 刘明 盛雷梅 范守善 葛帅平
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  312-314
    摘要: 本文测量了垂直基底方向生长的硅纳米线阵列的场发射性质,并研究了引入金对其场发射性质的影响.引入金后,硅纳米线阵列在10 μA/cm2时的开启电场从4.7 V/μm降到了2.3 V/μm,并且...
  • 作者: 伍创富 陈喜泉
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  315-318
    摘要: 本文首先介绍着屏的归一化处理.接着提出主透镜的曲面模型,并分析获取该曲面的条件.然后以纠正着屏偏差为目标论述如何在旧透镜的基础上获得了新的透镜曲面.扼要介绍了软件的组成和一些算法.通过实例验...
  • 22. 信息
    作者:
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  插9,305
    摘要:
  • 作者:
    发表期刊: 2005年4期
    页码:  插11
    摘要:

真空科学与技术学报基本信息

刊名 真空科学与技术学报 主编 吴锦雷
曾用名 真空科学与技术
主办单位 中国真空学会  主管单位 中国科学技术协会
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1672-7126 CN 11-5177/TB
邮编 100022 电子邮箱 vst@chinesevacuum.com
电话 010-58206280 网址
地址 北京市朝阳区建国路93号万达广场9号楼614室

真空科学与技术学报统计分析

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