热蒸发法制备SnS薄膜及其表征

• 作者: 程树英 钟南保 陈国南 黄赐昌
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SnS薄膜 光电性能 热蒸发法
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 290-292,296
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.04.014

摘要

用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国南	福州大学化学系	164	1018	17.0	21.0
2	程树英	福州大学电子科学与应用物理系	96	443	11.0	17.0
6	钟南保	福州大学电子科学与应用物理系	9	37	3.0	6.0
7	黄赐昌	福州大学电子科学与应用物理系	8	46	4.0	6.0