室温直流反应磁控溅射制备透明导电In2O3:Mo薄膜

• 作者: 严学俭 张群 张莉 李喜峰 章壮健 缪维娜 黄丽
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 透明导电氧化物 In2O3:Mo薄膜 直流反应磁控溅射法 室温
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 301-305
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3788字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.04.017

摘要

在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量[P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	李喜峰	复旦大学材料科学系	6	45	3.0	6.0
3	章壮健	复旦大学材料科学系	41	667	16.0	24.0
4	张莉	复旦大学材料科学系	47	300	9.0	15.0
5	严学俭	复旦大学材料科学系	22	151	7.0	11.0
6	黄丽	复旦大学材料科学系	35	228	9.0	14.0
7	缪维娜	复旦大学材料科学系	4	32	3.0	4.0