TiN镀膜玻璃的常压化学气相沉积法制备及其光电性能研究

• 作者: 张涛 赵高凌 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: TiN 常压化学气相沉积 方块电阻
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 309-311
• 页数: 3页
• 分类号: O614.4|O612.5
• 字数: 1838字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.04.019

摘要

本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜.利用X射线衍射(XRD)和方块电阻仪研究了反应温度和原料浓度对薄膜结晶性能和电性能的影响规律.研究结果表明随着基板温度升高、TiCl4浓度的增加,薄膜结晶性能提高,同时电阻率降低.在反应温度为600 ℃时得到了结晶性能较好的TiN薄膜,其方块电阻为186.7 Ω,红外光反射率为0.2526.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学材料系硅国家重点实验室	187	1971	24.0	35.0
2	张涛	浙江大学材料系硅国家重点实验室	73	764	15.0	26.0
3	赵高凌	浙江大学材料系硅国家重点实验室	45	462	14.0	20.0