浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜

• 作者: 武卫兵 石勇 程志捷 邱继军 靳正国
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 化学
• 关键词: 铜铟硫薄膜 浸渍离子层气相反应 半导体
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 26-31
• 页数: 6页
• 分类号: O614.242
• 字数: 4314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2005.01.006

摘要

以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl3为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜.研究混合前驱体溶液中Cu2+与In3+的离子浓度比[Cu2+]/[In3+]对薄膜晶体结构、化学组成、表面形貌、光学和电学性能的影响.当溶液中[Cu2+][In3+]在0.75～2.00范围内均可形成无杂质相、富S型立方闪锌矿结构的CuInS2薄膜.当[Cu2+]/[In3+]=1. 50时,CuInS2薄膜接近其理想的化学计量组成,薄膜表面均匀性随着[Cu2+]/[In3+]的增加而降低.CuInS2薄膜的光吸收系数α均高于104 cm-1,其禁带宽度E.在1. 30～1. 40 eV之间.制备的p型CuInS2半导体薄膜在室温下其表面暗电阻p随[Cu2+]/[In3+]的增加而有明显的降低趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	靳正国	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	55	517	13.0	18.0
2	武卫兵	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	10	74	6.0	8.0
3	邱继军	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	13	108	7.0	10.0
4	石勇	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	9	95	6.0	9.0
5	程志捷	天津大学材料学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	14	179	9.0	13.0