电沉积制备CuInS2半导体薄膜及其光学性能研究

• 作者: 关荣锋 孙倩 张大峰
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体薄膜 太阳能电池 CuInS2 黄铜矿结构 光学带隙
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 65-71,83
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 3982字
• 语种: 中文

摘要

利用电化学循环伏安法研究了Cu2、In3+及S2O2-在不同pH条件下的伏安特性,发现以柠檬酸为络合剂,pH=6时几种离子在-0.8V电位下的电化学还原行为相近,在此基础上采用恒电位法在ITO导电玻璃基底上制备CIS薄膜太阳能电池用的吸收层材料CuInS2半导体薄膜.为提高膜层的结晶度,选取空气、Ar、及Ar+S三种气氛对沉积的膜层进行热处理,SEM、XRD及Raman光谱结果表明,经Ar气氛中硫化热处理才可以得到结晶度好且形貌均匀致密的薄膜.Cu2+/In3+比影响薄膜的结晶生长,结果表明,随着Cu/In比的增大,薄膜以典型的黄铜矿结构为主,当沉积电位为-0.8V且Cu2+/In3=1.8时基底上得到的高质量CuInS2半导体薄膜的光学带隙是1.55 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关荣锋	河南理工大学材料科学与工程学院	43	485	13.0	20.0
2	孙倩	河南理工大学材料科学与工程学院	30	134	6.0	11.0
3	张大峰	河南理工大学物理化学学院	4	8	1.0	2.0