硼掺杂对非晶SiCN陶瓷高温电学性能影响

• 作者: 安立楠 张立功 徐世峰 王岩松 王文全 罗劲松 苗元华 范翊
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶陶瓷 电导 Arrhenius 声子散射
• 年，卷（期）: 2005,（z2）
• 页码范围: 952-955
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.8
• 字数: 2994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.z2.093

摘要

报道了由聚合物前驱体衍生得到的非晶SiCN和SiBCN陶瓷的直流电学特性,硼掺杂引起SiCN陶瓷材料室温电导的增加,在不同的温度区域SiCN和SiBCN陶瓷的电导温度关系出现波动起伏,观察到正的和负的电导温度系数,并对这种现象进行了讨论,拟合数据表明电导温度关系符合Arrhenius模型,表明此种材料是迁移率隙中存在很多缺陷局域态的半导体材料,随着温度升高出现了载流子与声子的相互作用过程.