硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响

• 作者: 冯仁华 张溪文 韩高荣
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 物理学
• 关键词: PECVD na-Si:H 掺杂比 激活能
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 226-228,216
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4+2
• 字数: 1682字
• 语种: 中文

摘要

本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣	浙江大学无机非金属材料研究所	187	1971	24.0	35.0
2	张溪文	浙江大学无机非金属材料研究所	43	309	11.0	16.0
3	冯仁华	浙江大学无机非金属材料研究所	1	7	1.0	1.0