HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜

• 作者: 刘丰珍 周玉荣 郭宇坤 陈瑱怡 马宁
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 热丝化学气相沉积 硅薄膜 硼掺杂 电学性能
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 页码范围: 2003-2010
• 页数: 8页
• 分类号: O484
• 字数: 4174字
• 语种: 中文

摘要

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(～30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55～70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丰珍		17	105	4.0	10.0
2	周玉荣		4	6	1.0	2.0
3	郭宇坤		2	2	1.0	1.0