硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响

• 作者: 张溪文 沈大可 韩高荣
• 来源期刊: 材料科学与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 硼掺杂 等离子增强化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 30-33,16
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 3781字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.007

摘要

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出轻掺硼非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率，降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比，并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长。红外吸收谱研究预示了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩高荣		187	1971	24.0	35.0
2	张溪文		43	309	11.0	16.0
3	沈大可		6	42	2.0	6.0