原文服务方: 中国机械工程       
摘要:
传统的光学光刻技术由于受光波波长和数值孔径等因素的限制难于制作特征尺度小于100nm的图案.与传统光刻相比,纳米压印光刻的分辨率不受光的衍射和散射等因素的限制,可突破传统光刻工艺的分辨率极限,因而被认为是一种获得100nm以下图案较好的下一代方法.介绍了自行研制的具有高定位和对准精度的纳米压印样机.利用该样机压印出的纳米级光栅、微凸点阵列、微透镜阵列等纳米结构和微器件的图形质量均匀性良好.该工艺为实现低成本、大批量复制纳米结构创造了条件,在半导体集成电路、微光学、生物和化学分析等微纳结构和器件的制作中有着广泛的应用前景.
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文献信息
篇名 宽范围高对准精度纳米压印样机的研制
来源期刊 中国机械工程 学科
关键词 纳米压印光刻 对准 莫尔干涉法
年,卷(期) 2005,(z1) 所属期刊栏目 微纳操作装配及微电池技术等
研究方向 页码范围 64-67
页数 4页 分类号 TN305
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张鸿海 68 430 11.0 16.0
2 刘胜 75 815 15.0 25.0
3 范细秋 6 70 4.0 6.0
4 胡晓峰 8 78 4.0 8.0
5 贾可 8 32 3.0 5.0
传播情况
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引文网络
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2020(2)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
纳米压印光刻
对准
莫尔干涉法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国机械工程
月刊
1004-132X
42-1294/TH
大16开
湖北省武汉市洪山区南李路湖北工业大学
1990-01-01
中文
出版文献量(篇)
13171
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0
总被引数(次)
206238
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