a-Si:H热处理过程中形成的纳米硅粒及其光致发光

• 作者: 卢佃清 李新华 薛清
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 纳米晶硅 热退火 拉曼散射
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 646-649
• 页数: 4页
• 分类号: O433|TN304.2
• 字数: 2163字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.04.032

摘要

报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,其直径在1.6～15 nm内.根据晶体生长理论和计算机模拟,讨论了升温快慢与所形成纳米硅颗粒大小之间的关系,并且在强光照射下观察了纳米晶硅在薄膜中的结晶和生长情况.经退火形成的nc-Si可见光辐射较弱,不能检测到它们的光致发光,但用氢氟酸腐蚀钝化后则可检测到较强的红PL,并且钝化后的nc-Si在空气中暴露一定时间后,其辐射光波长产生了蓝移.就表面钝化和量子限制对可见光辐射的重要性作了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛清	淮海工学院数理科学系	10	16	2.0	3.0
2	李新华	淮海工学院数理科学系	23	93	6.0	8.0
3	卢佃清	淮海工学院数理科学系	52	216	7.0	11.0