SOI材料微结构的TEM分析

• 作者: 叶斐 吴晓京 周永宁 张昕 张苗 林成鲁 沈仲汉 王曦 陈猛
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI晶圆 TEM分析 微结构 硅岛 结构缺陷
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 453-459
• 页数: 7页
• 分类号: TN304|O77+1|TG115.21+5.3
• 字数: 5134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6281.2005.05.001

摘要

SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性进行了定量分析,对高剂量SIMOX样品中存在的硅岛密度进行了估算,并对顶层硅中的结构缺陷进行了观察分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张昕	复旦大学材料科学系	7	83	3.0	7.0
2	沈仲汉	复旦大学材料科学系	1	0	0.0	0.0
3	周永宁	复旦大学材料科学系	7	6	2.0	2.0
4	吴晓京	复旦大学材料科学系	22	241	5.0	15.0
5	张苗		1	0	0.0	0.0
6	叶斐		1	0	0.0	0.0
7	陈猛		3	58	2.0	3.0
8	王曦		1	0	0.0	0.0
9	林成鲁		4	66	3.0	4.0