Cd掺杂扩散诱发InSb晶体缺陷的X光研究

• 作者: 刘豫东 张刚 杜红燕 董硕 马莒生
• 来源期刊: 激光与红外
• 学科: 工学
• 关键词: InSb Cd掺杂 位错密度 半高宽 X光貌相
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 红外材料器件
• 页码范围: 177-180
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2658字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5078.2005.03.011

摘要

文章采用了双晶衍射和同步辐射X射线貌相实验手段,对扩散掺杂Cd前后InSb单晶中位错密度的变化进行了对比分析.研究证实了扩散会导致InSb位错密度增加,导致双晶衍射的半高宽增加.较低的半高宽数值对应的X射线貌相中未观察到位错线,只有具有较高的半高宽数值的InSb单晶的X射线貌相上才显示了位错线.本文认为酸蚀可以有效去除InSb浅表面的高缺陷层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马莒生	清华大学材料系	58	894	16.0	29.0
2	杜红燕		7	18	3.0	4.0
3	刘豫东	清华大学材料系	10	32	3.0	4.0
4	董硕		4	17	3.0	4.0
5	张刚		1	3	1.0	1.0