铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用

• 作者: 叶辉 曹晓燕 沈伟东 沈智如 郭冰
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜光学 横向电光系数 掺K M-Z型薄膜波导调制器 半波调制电压
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4+1
• 字数: 2401字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2239.2005.01.025

摘要

利用溶胶-凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1:3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6 pm/V,掺K的r51值为58.5 pm/V.并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫-曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633 nm时,掺K比例为1:3的此种波导调制器半波调制电压值为10 V,不掺K的半波电压值为16 V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈伟东	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	39	296	8.0	16.0
2	叶辉	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	50	406	9.0	18.0
3	曹晓燕	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	5	22	3.0	4.0
4	郭冰	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	6	19	2.0	4.0
5	沈智如	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	2	4	2.0	2.0