InP基一镜斜置三镜腔型光电探测器理论分析及实验研究

• 作者: 任晓敏 任爱光 武鹏 王兴妍 王琦 黄成 黄永清 黄辉
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 光电探测器 楔型结构 空气隙
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1045-1049
• 页数: 5页
• 分类号: TN364+.2|TN929.11
• 字数: 1745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2005.08.007

摘要

介绍了一种新型长波长InP基一镜斜置三镜腔型(OMITMiC)光电探测器,并对其进行了数值模拟.介绍了该光电探测器的两项关键制备工艺.首先,利用动态掩膜湿法腐蚀技术,通过调节HCl:HF:CrO3腐蚀溶液的选择比,在与InP晶格匹配的In072Ga0.28As0.6P0.4外延层上制备出了不同倾角的楔形结构.其次,利用选择性湿法腐蚀技术,通过FeCl32H2O溶液对In053Ga047As牺牲层的腐蚀,制备出了具有InP/空气隙的高反射率分布式布拉格反射镜(DBR).