不同牺牲层材料上LPCVD氮化硅薄膜内应力的测试与研究

• 作者: 张海霞 王莎莎 陈兢
• 来源期刊: 中国机械工程
• 学科: 工学
• 关键词: 微机械系统 残余应力 薄膜 牺牲层 氮化硅
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 所属期刊栏目: 微纳加工与测试及封装技术
• 页码范围: 449-450,453
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 2791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-132X.2005.z1.161

摘要

测量了淀积在三种不同的牺牲层材料(热氧SiO2、LPCVD SiO2、LPCVD PSG)上LPCVD氮化硅薄膜的应力,结果表明,不同牺牲层上淀积的氮化硅薄膜残余应力存在较大的差异.从多方面分析了残余应力差异产生的原因,实验得到的结果为器件的设计提供了更准确的依据.