热处理温度对PST铁电薄膜微结构的影响

• 作者: 曾亦可 李秀峰 肖腊连 胡勇
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 溶胶-凝胶 热释电性
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 页码范围: 92-94
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2387字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2005.06.030

摘要

以Pb(OOCCH3)2·3H2O,Sc(OOCCH3)3·xH2O和Ta(OC2H5)5为原材料,用Sol-Gel方法在Pt/Ti/SO2/Si(1 0 0)基片上成功地制备出厚度达1.5 μm,无裂纹的PbSc0.5Ta0.5O3(PST)铁电薄膜.对(2 2 0)主晶向生长的PST薄膜分别在10～20 min、650～800 ℃范围内进行热处理,结果表明:热处理温度在750 ℃时,PST薄膜转变为较为完整的ABO3型钙钛矿晶相结构,更高的温度将提高晶粒在(2 2 0)方向的取向度.实验发现,最佳热处理条件应为750 ℃×15 min,该条件下制备的PST铁电薄膜呈蓝黑色,表面光亮.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾亦可	华中科技大学电子科学与技术系	65	723	15.0	25.0
2	肖腊连	华中科技大学电子科学与技术系	8	30	3.0	5.0
3	李秀峰	华中科技大学电子科学与技术系	8	30	3.0	5.0
4	胡勇	华中科技大学电子科学与技术系	33	273	9.0	15.0