氨化Si基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜

• 作者: 孙振翠 庄惠照 曹文田 薛成山 魏芹芹
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaN Ga2O3/Al2O3膜 氨化 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 312-315
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.02.035

摘要

研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),X光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、组分、形貌和发光特性的分析.测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照		72	276	9.0	11.0
2	魏芹芹		14	58	4.0	7.0
3	薛成山		117	476	11.0	13.0
4	曹文田		18	40	3.0	5.0
5	孙振翠		15	52	4.0	6.0