柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

• 作者: 夏冬林 李建庄 赵修建
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: 电沉积 CuInSe2薄膜 络合剂
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 115-117
• 页数: 3页
• 字数: 2951字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2005.04.032

摘要

采用Mo/钠钙玻璃衬底作研究电极,饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,铂网电极作辅助电极的三电极体系,利用电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备CuInSe2薄膜,研究络合剂柠檬酸浓度对CuInSe2薄膜制备的影响.利用EDS、xRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行表征,结果表明:当柠檬酸的浓度为0.5mol/I时,可以制备致密性好、晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
3	李建庄	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	7	51	4.0	7.0