用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

• 作者: 孟焘 朱贤方 王占国
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基量子点 自组装 S-K模式 MOCVD
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 1849-1853
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 5268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185X.2005.12.001

摘要

GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点,尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例,因此相关的文献较多,但综述性文章却不多见.鉴于此,本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法,并对影响量子点生长的实验条件和参数做了简要的分析.希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟焘		1	3	1.0	1.0
5	朱贤方		6	15	3.0	3.0
9	王占国	中科院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	2	5	2.0	2.0