PROM器件中Ni-Cr熔丝的设计

• 作者: 孙承松 张丽娟 袁凯 陈桂梅
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ni-Cr电阻 熔丝 可编程只读存储器 集成电路 设计
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 信息科学与工程
• 页码范围: 315-317
• 页数: 3页
• 分类号: TN710
• 字数: 858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.2006.03.018

摘要

介绍了应用在PROM器件中的Ni-Cr熔丝电阻的设计.熔丝是决定PROM器件稳定性的关键元件.Ni-Cr薄膜材料有良好的半导体加工特性和温度稳定性.通过热学分析和测试实验,得到相关数据,设计出熔丝形状以及三维尺寸.再根据此集成电路器件的整体版图布局设计出可应用到PROM中的Ni-Cr熔丝.采用磁控溅射方法,通过控制工艺条件得到所需的薄膜厚度,经光刻形成所需图形.通过产品的读取测试实验,取得了良好的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙承松	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	134	6.0	11.0
2	张丽娟	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	85	5.0	9.0
3	袁凯		11	8	1.0	2.0
4	陈桂梅		3	11	2.0	3.0