用于嵌入式电容的高K绝缘材料

• 作者: Nonaka Toshihisa 李桂云（编译）
• 来源期刊: 现代表面贴装资讯
• 学科: 工学
• 关键词: 嵌入式电容 SIP 高K
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 32-37
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174.758

摘要

本文对粒子尺寸的分布控制和分散剂进行了研究，并采用抑制孔隙度增量的方法实施了往环氧树脂中添加大于79vol％的BaTiO3填料的工艺。在1MHz下10μm厚膜的介电常数为115，这一数据与大于10nF／cm^2的电容密度一致。在评估45MHz-10GHz时，在10GHz下获得的介电常数为100。对于填料表面的化学态评估，这种评估是采用FT-IR光谱分析实施的，评估结果说明填料表面吸水增加了介电损耗。在添加了分散剂和树脂成分以及在优化了固化条件后，在1MHz下，复合材料的介电损耗为0．02。对温度与介电常数的关系曲线线进行了评估，而结果显示值小。还对复合材料的激光导通孔的形成工艺进行了检测。在10μm厚的膜中可生成100μm直径的导通孔已得到了确认。通过对膜的应力测试而获得的复合材料的共面热膨胀系数为17ppm／℃。该值与Cu的热膨胀系数吻合。对弹性模量进行了测量，发现填料在75vol％下时为18GPa。