谈300 mm晶圆厂洁净室光刻区域环境中NH3和SO2的控制

• 作者: 刘媛娜
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 洁净室 光刻 喷淋去离子水 新风入口 去离子水电导值 化学过滤器
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 专题报道(IC制造技术)
• 页码范围: 19-23
• 页数: 5页
• 分类号: TN30
• 字数: 3223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2006.11.005

摘要

在半导体业中,对生产作业环境要求极为严格,其中对AMC(Airborne Molecular Contamination)有更严格的控制要求.SO2和NH3属于AMC中的2种,即MA(分子酸)和MB(分子碱).主要讨论洁净室中NH3和SO2的含量对晶圆和光罩的影响,以及采取各种有效措施对其进行控制,满足先进制程对于产品生产的超高空气品质要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘媛娜	中芯国际集成电路制造(北京)有限公司品质工程处	1	2	1.0	1.0