20V/10A UDMOSFET的研制

• 作者: 石广源 苏丹 阎冬梅
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: UDMOSFET 沟槽 腐蚀
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 305-308
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2006.04.005

摘要

简要介绍了UDMOSFET的结构和工作原理,给出了UDMOSFET的制造工艺,重点讨论工艺难点,对测试结果进行了详细分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理系	39	119	6.0	8.0
2	苏丹	辽宁大学物理系	11	38	3.0	6.0
3	阎冬梅	辽宁大学物理系	3	11	2.0	3.0