锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响

• 作者: 吕庆莉 张方辉 张麦丽 袁桃利 马颖
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: ITO膜 溶胶-凝胶法 Sn掺杂 X射线衍射分析
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 460-464
• 页数: 5页
• 分类号: TN104.3|O484.4
• 字数: 2172字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.012

摘要

以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450 ℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11 %～33 %)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响.用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20 %时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张方辉	陕西科技大学电气与电子工程学院	150	773	13.0	20.0
2	张麦丽	陕西科技大学电气与电子工程学院	33	137	7.0	10.0
3	马颖	陕西科技大学电气与电子工程学院	23	235	7.0	15.0
4	袁桃利	陕西科技大学电气与电子工程学院	21	94	4.0	9.0
5	吕庆莉	陕西科技大学计算机与信息工程学院	5	37	4.0	5.0