低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究

• 作者: 卢景霄 张丽伟 张松青 文书堂 李瑞 杨仕娥 杨根 郭学军
• 来源期刊: 可再生能源
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅薄膜 晶粒尺寸 再结晶
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试验
• 页码范围: 10-12
• 页数: 3页
• 分类号: O7
• 字数: 1748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-5292.2006.06.004

摘要

利用等离子体增强(PECVD)法和快速热处理(RTP)法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸.