电弧离子镀制备TiAlN膜工艺研究

• 作者: 吕树国 姚俊 张罡 李玉海 毕鉴智 金光
• 来源期刊: 沈阳理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电弧离子镀 TiAlN膜层 偏压 抗氧化性 气体离子源
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 2765字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-1251.2006.01.024

摘要

采用阴极电弧离子镀技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢基材上制备TiAlN膜层,镀膜装置为俄罗斯科学院UVN 0.5D2I电弧离子镀膜机,该设备由一个大功率的气体离子源和两个金属蒸发源组成.气体离子源具有气体离子轰击和辅助沉积的特点.研究了电弧电流、负偏压和气体离子源功率等工艺参数对膜层的影响规律.实验结果表明:气体离子源具有明显的细化金属颗粒的作用.提出了制备TiAlN膜层的最佳工艺,得到了厚度为5 ～10μm、相结构为Ti0.5Al0.5N、显微硬度为1200HV0.01的TiAlN膜层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金光	沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室	31	153	8.0	11.0
2	李玉海	沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室	66	449	12.0	17.0
3	张罡	沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室	104	425	11.0	13.0
4	姚俊	沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室	55	291	10.0	13.0
5	毕鉴智	沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室	5	49	3.0	5.0
6	吕树国	沈阳理工大学中俄联合高能束流实验室	9	26	3.0	4.0