基于氮化硅的压力传感器以及算法补偿

• 作者: 张博军 方震 曾欢欢 王奇 赵湛
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS 压力传感器 氮化硅 温度 补偿
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 页码范围: 726-729
• 页数: 4页
• 分类号: TP2
• 字数: 2361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.029

摘要

MEMS技术制造的传感器具有体积小、重量轻、成本低等特点.用于测量大气气压的传感器,主要材料是硅、氮化硅和铂金,氮化硅薄膜形成了传感器的主要结构.这种压力传感器与一般传感器相比具有结构简单、工艺易于实现以及精度高等优点.设计了工艺过程,制作了器件样片,并算法补偿了温度对传感器的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵湛	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	54	723	10.0	26.0
2	王奇	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	12	30	3.0	5.0
6	方震	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	32	605	8.0	24.0
10	曾欢欢	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	4	8	2.0	2.0
14	张博军	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	7	29	3.0	5.0