Al/C60/Cu薄膜结构的电学性质

• 作者: 贾鹤群 黄子强
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: C60薄膜 整流接触 肖特基势垒接触 金属-绝缘层-半导体
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2457字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2006.03.008

摘要

将C60薄膜沉积在Al上,制成了Al/C60结构的薄膜二极管.对Al/C60结构的肖特基结构与金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的电学特性做了研究.Al/C60肖特基结构在偏压±2 V时的整流比为30,而Al/C60的MIS结构在偏压±2 V时整流比为100.在MIS结构中,AlOx的形成起着关键的作用.研究还发现,刚沉积好的薄膜二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强.此二极管在空气中无封装情况下表现出高稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄子强	电子科技大学光电信息学院	75	532	13.0	19.0
2	贾鹤群	电子科技大学光电信息学院	3	6	2.0	2.0