硒化温度对Cu(In,Al) Se2薄膜结构和光学性质的影响

• 作者: 孙琳 孟宪宽 崔金玉 张俊 曹辉义 杨平雄 褚君浩 邓红梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In,Al) Se2 薄膜 硒化温度
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 726-730
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.017

摘要

采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al) Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为1.34 eV,对应太阳电池理论最大效率的吸收层材料禁带宽度.