宽带隙Cu(In,Al)Se2薄膜的制备及表征

• 作者: 李洪伟 杜祖亮 王广君 胡彬彬 黄灿领 龚时江
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 特殊脉冲电沉积 真空蒸镀 CuInSe2薄膜 Cu (InAl) Se2薄膜
• 年，卷（期）: 2011,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2739-2742
• 分类号: O613.5
• 字数: 2649字
• 语种: 中文

摘要

以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe2(CIS)前驱体薄膜,通过真空蒸镀法在CIS薄膜上沉积Al膜,经硒化退火后在氧化铟锡(fro)基底上制备了Cu(InAl) Se2(CIAS)薄膜.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)对其形貌、结构、成分及光学吸收性质进行了表征.结果表明,制备的CIAS薄膜颗粒均匀,表面平整致密,呈黄铜矿结构.薄膜在可见光区具有良好的吸收,带隙约为1.65 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜祖亮	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	128	1108	17.0	27.0
2	胡彬彬	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	17	59	5.0	7.0
3	王广君	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	10	47	4.0	6.0
4	黄灿领	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0
5	李洪伟	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0
6	龚时江	河南大学特种功能材料教育部重点实验室	1	5	1.0	1.0