Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备及其表征

• 作者: 崔艳峰 王善力 胡古今 袁声召 褚君浩
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜电池 CuIn1-xGaxSe2薄膜 直流溅射 硒化
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 全国半导体物理学术会议邀请报告选编
• 页码范围: 198-201,206
• 分类号: TM914.4
• 字数: 806字
• 语种: 中文

摘要

CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究了溅射功率和衬底对CIGS薄膜的微结构和光学性质的影响.发现钼玻璃上溅射功率为50W,在550℃硒化40min的条件下获得的CIGS薄膜具有单一的黄铜矿结构、均匀致密的表面形貌和柱状晶粒.所制备的薄膜的禁带宽度位于1.21～1.24eV的范围.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔艳峰	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	2	4	2.0	2.0
2	袁声召	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
3	王善力		11	37	3.0	5.0
4	胡古今	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	11	25	3.0	4.0
8	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0