Cu元素对Cu（In，Ga）Se2薄膜及太阳电池的影响

• 作者: 何青 刘芳芳 周志强 孙云
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: u(In,Ga)Se2太阳电池 Cu元素 激活能 开路电压
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 067203-1-067203-6
• 页数: 1页
• 字数: 2913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.067203

摘要

Cu元素成分对Cu(In, Ga)Se2(简称CIGS)薄膜材料的电学性质及其电池器件性能有很重要的影响.本文利用蒸发法制备了贫Cu和富Cu的CIGS吸收层(0.7<Cu/(Ga+In)<1.15)及相应的电池器件.扫描电镜和Hall测试发现,富Cu材料的结构特性(晶粒大、结晶状态好)和电学特性(电阻率低、迁移率高等)优于贫Cu材料,而性能测试表明贫Cu器件的效率优于富Cu器件.变温性能测试分析表明,贫Cu器件的主要复合路径是体复合,激活能与CIGS禁带宽度相当；富Cu器件的主要复合路径是界面复合,其激活能远小于CIGS禁带宽度,这大大降低了开路电压Voc ,从而降低了电池效率.最后利用蒸发三步法制备了体材料稍富Cu表面贫Cu的CIGS吸收层,降低了短路电流和开路电压的损失,获得了超过15%的电池效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙云		3	20	2.0	3.0
2	何青		2	4	2.0	2.0
3	刘芳芳		2	18	2.0	2.0
4	周志强		1	2	1.0	1.0