电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜

• 作者: 万兵 冒国兵 刘琪 敖建平
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 退火 CIGS薄膜 太阳电池
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 新材料新工艺
• 页码范围: 61-63
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 2644字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2007.01.016

摘要

在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20 min.对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冒国兵	安徽工程科技学院机械工程系	30	160	9.0	11.0
2	刘琪	安徽工程科技学院机械工程系	28	151	8.0	11.0
3	敖建平	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	11	98	7.0	9.0
4	万兵		1	4	1.0	1.0