Cu(In,Ga)Se2薄膜电沉积制备及性能研究

• 作者: 夏冬林 徐慢 李建庄 赵修建
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Cu(In,Ga)Se2(CIGS) 薄膜 电沉积 太阳能电池
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 1146-1150
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2006.05.049

摘要

采用Mo/钠钙玻璃衬底作为阴极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极作为阳极的三电极体系,以氯化铜,三氯化铟,三氯化镓和亚硒酸的水溶液为电解液,利用电沉积技术制备出黄铜矿结构Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜.研究了不同热处理温度对CIGS多晶薄膜材料的组成、结构和表面形貌的影响以及薄膜的光电学性能.实验结果表明当热处理温度为450℃时,所制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比,薄膜具有黄铜矿结构,颗粒均匀,致密性较好,在室温下禁带宽度为1.43 eV,具有高的吸收系数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
2	徐慢	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	10	206	6.0	10.0
3	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0
4	李建庄	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	7	51	4.0	7.0