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铜含量变化对Cu(In,Ga) Se2薄膜微结构的影响
铜含量变化对Cu(In,Ga) Se2薄膜微结构的影响
作者:
姚娘娟
孙雷
褚君浩
马建华
黄志明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CIGS薄膜
铜含量
微结构
拉曼光谱
摘要:
报道了不同的铜含量(Cu/(Ga+ In)=0.748 ~ 0.982)对Cu(In,Ga) Se2 (CIGS)薄膜微结构的影响.文章中的CIGS薄膜采用磁控溅射金属预置层后硒化的方法制备,其X射线衍射谱(XRD)中一系列黄铜矿结构CIGS (CH-CIGS)相的衍射峰确认了CH-CIGS相的存在.对CIGS薄膜拉曼光谱的分析表明,随着铜含量的上升,CIGS薄膜经历了CH-CIGS和有序缺陷化合物(OVC)混合相、CH-CIGS单相、CH-CIGS和CuxSe混合相三种状态.进一步的分析显示,CIGS薄膜拉曼峰的半高宽随铜含量变化,并在Cu/(Ga+ In) =0.9附近时达到最小值,这说明此时CIGS薄膜具有更好的结晶度和更少的无序性.此外还得到了CIGS薄膜拉曼峰半高宽与铜含量的经验关系公式.这些研究表明拉曼光谱能比XRD更加灵敏地探测CIGS薄膜的微结构,可望作为一种无损和快速测量方法,用于对CIGS薄膜晶相和铜含量的初步估计.
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文献信息
篇名
铜含量变化对Cu(In,Ga) Se2薄膜微结构的影响
来源期刊
红外与毫米波学报
学科
工学
关键词
CIGS薄膜
铜含量
微结构
拉曼光谱
年,卷(期)
2017,(1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
1-5,29
页数
6页
分类号
TM914.4+2
字数
1598字
语种
中文
DOI
10.11972/j.issn.1001-9014.2017.01.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
黄志明
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
43
424
10.0
19.0
2
马建华
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
26
105
6.0
9.0
3
孙雷
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
4
14
2.0
3.0
7
姚娘娟
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
1
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传播情况
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引证文献
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同被引文献
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二级引证文献
(0)
1997(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2002(3)
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2005(1)
参考文献(1)
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参考文献(1)
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参考文献(4)
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2015(1)
参考文献(1)
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2017(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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CIGS薄膜
铜含量
微结构
拉曼光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
红外与毫米波学报
主办单位:
中国光学学会
中国科学院上海技术物理所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-9014
CN:
31-1577/TN
开本:
大16开
出版地:
上海市玉田路500号
邮发代号:
4-335
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
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